कॉपर कोर बॉल्स 3डी पैकेजिंग, संरचनात्मक स्थिरता बनाए रखने, इलेक्ट्रोथर्मल प्रदर्शन में सुधार और उच्च विश्वसनीयता इंटरकनेक्ट सुनिश्चित करने में महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं। विशेष रूप से एचबीएम मेमोरी और एआई चिप्स में, वे उच्च {{3} घनत्व स्टैकिंग और उच्च प्रदर्शन कंप्यूटिंग प्राप्त करने के लिए एक मुख्य सहायक तकनीक हैं।
एआई चिप्स और उच्च- बैंडविड्थ मेमोरी (एचबीएम) में कंप्यूटिंग शक्ति और डेटा ट्रांसफर दरों की अत्यधिक खोज के साथ, पारंपरिक सोल्डर गेंदों को कई रिफ्लो सोल्डरिंग प्रक्रियाओं और उच्च वर्तमान भार के तहत पतन और इलेक्ट्रोमाइग्रेशन जैसी बाधाओं का सामना करना पड़ता है। कॉपर कोर बॉल्स (सीसीएसबी), अपनी अनूठी संरचना के साथ,
पैकेज स्थान की स्थिरता बनाए रखें और बहु-परत स्टैकिंग का समर्थन करें। 3डी पैकेजिंग में, चिप्स कई रिफ्लो सोल्डरिंग प्रक्रियाओं से गुजरते हैं। पारंपरिक सोल्डर बॉल 250 डिग्री पर पूरी तरह से पिघल जाते हैं और ऊपरी परत के घटकों के दबाव में ढहने का खतरा होता है, जिससे शॉर्ट सर्किट होता है। हालाँकि, कॉपर कोर बॉल के कॉपर कोर का गलनांक 1083 डिग्री तक होता है, जो सोल्डरिंग के दौरान ठोस रहता है, प्रभावी ढंग से पैकेज अंतराल का समर्थन करता है, विरूपण और ब्रिजिंग को रोकता है, और एचबीएम मल्टी{8}लेयर DRAM स्टैक की संरचनात्मक अखंडता सुनिश्चित करता है।
एआई चिप्स की उच्च बिजली खपत आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए इलेक्ट्रोथर्मल प्रदर्शन में सुधार करना।
सोल्डर गेंदों की 5-10 गुना चालकता के साथ, यह वर्तमान घनत्व को काफी कम कर देता है, इलेक्ट्रोमाइग्रेशन को दबा देता है, सोल्डर संयुक्त जीवन का विस्तार करता है, और दीर्घकालिक उच्च लोड ऑपरेशन के तहत एआई प्रशिक्षण चिप्स की स्थिरता सुनिश्चित करता है।
बेहतर तापीय चालकता एचबीएम और जीपीयू कोर से गर्मी को तेजी से खत्म करने में मदद करती है, "हॉट स्पॉट" समस्याओं को कम करती है और समग्र सिस्टम विश्वसनीयता में सुधार करती है।
